发明名称 贯穿衬底通孔结构及其制造方法
摘要 本发明涉及贯穿衬底通孔结构及其制造方法。本发明公开了一种贯穿衬底通孔结构,该结构包括具有相对的第一主表面和第二主表面的衬底。一个或多个导电通孔结构被设置成在所述衬底内从所述第一主表面延伸到第一垂直距离。凹陷区域在所述衬底内从所述第二主表面延伸到第二垂直距离,并邻接所述导电通孔的下表面。在一个实施方案中,所述第二垂直距离大于所述第一垂直距离。导电区域被设置在所述凹陷区域内,并被构造成与所述导电通孔电导通和/或热连通。
申请公布号 CN106549003A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201610822919.8 申请日期 2016.09.14
申请人 半导体元件工业有限责任公司 发明人 M·J·塞登;F·J·卡尔尼
分类号 H01L23/538(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/538(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种贯穿衬底通孔结构,包括:衬底,所述衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面;导电通孔结构,包括:从所述第一主表面延伸到第一距离的沟槽;以及设置在所述沟槽内的导电材料;凹陷区域,所述凹陷区域被设置成从所述第二主表面向内延伸到第二距离,其中所述凹陷区域比所述导电通孔结构宽;第一导电区域,所述第一导电区域在横截面视图中至少邻接所述凹陷区域的侧壁表面设置并沿所述侧壁表面延伸,其中所述第一导电层物理连接到所述导电材料。
地址 美国亚利桑那