| 发明名称 | 双面压接背板及其钻孔方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双面压接背板及其钻孔方法，该方法包括：采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度；在所述第一控深钻的同一位置以及相同的方向，采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度；在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置和相反的方向，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度。本发明既可以改善板厚对于孔径的限制，又可以保证钻孔的对准度。 | ||
| 申请公布号 | CN104349577B | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201310335047.9 | 申请日期 | 2013.08.02 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;珠海方正科技多层电路板有限公司;珠海方正印刷电路板发展有限公司;方正信息产业控股有限公司 | 发明人 | 史书汉;曾凡初 |
| 分类号 | H05K1/02(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I;H05K3/42(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I | 主分类号 | H05K1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐 |
| 主权项 | 一种双面压接背板钻孔方法，其特征在于，包括：采用第一钻咀对双面压接背板进行第一控深钻，第一控深钻的钻控深度小于所述双面压接背板的厚度；在所述第一控深钻的同一位置以及相同的方向，采用第二钻咀对所述双面压接背板进行第二控深钻，第二控深钻的钻控深度小于第一控深钻的钻控深度；在与所述第一控深钻垂直投影相同的位置和相反的方向，采用第三钻咀对所述双面压接背板进行第三控深钻，第三控深钻的钻控深度大于双面压接背板的厚度减去第一控深钻的钻控深度；其中，所述第二钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径，所述第三钻咀所钻的孔径大于所述第一钻咀所钻的孔径。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||