用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该多沟渠终端结构包含一多沟渠结构，该些沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该半导体元件的一终端结构区；一栅极绝缘层，形成于该多沟渠结构的表面上；一导电层，形成于该栅极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板的该露出表面；以及一金属层，形成于该第一掩膜层及该终端结构区的导电层上。

主权项

一种用于半导体元件的多沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，其特征在于，该多沟渠终端结构包含：一多沟渠结构，包含多个沟渠，该多个沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该半导体元件的一终端结构区；一栅极绝缘层，形成于该多沟渠结构的表面上；一导电层，形成于该栅极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板的该露出表面；一金属层，形成于该第一掩膜层及该终端结构区的导电层上，其中该金属层直接接触到该第一掩膜层及该终端结构区的导电层；以及一钝态保护层，覆盖于该终端结构区的金属层上；其中于该终端结构区中，该导电层上方不具有该第一掩膜层，且该导电层直接接触到该金属层；其中于该主动结构区中不具有该第一掩膜层；其中该钝态保护层并未延伸到该主动结构区。