半导体装置

摘要

半导体装置。根据本揭露内容的各种特点，其提出的一种半导体装置是包含一半导体晶粒，其包含一第一表面、一与该第一表面相对的第二表面、以及至少一延伸在该第一表面与该第二表面之间的第三表面；一第一介电层(例如，一钝化层)，其被形成在该半导体晶粒的该第二及第三表面上，并且包括一从该半导体晶粒向外延伸而且与该半导体晶粒的该第一表面共面的部分；一囊封物层，其被形成在该第一介电层上；以及一导电层(例如，一重新分布层)，其被形成在该半导体晶粒的该第一表面以及该第一介电层从该半导体晶粒的该第一表面向外延伸而且与其共面的部分上。

主权项

一种半导体装置，其包括：半导体晶粒，其包括：第一晶粒表面；与该第一晶粒表面相对的第二晶粒表面；以及延伸在该第一晶粒表面与该第二晶粒表面之间的第三晶粒表面；第一介电层，其包括在该第三晶粒表面上的第一介电层部分以及从该半导体晶粒向外延伸的第二介电层部分，并且包括与该第一晶粒表面共面的第一表面；囊封物层，其在该第一介电层上；以及导电层，其在该半导体晶粒的该第一表面上以及在该第二介电层部分上。