薄膜晶片调阻的光刻逐列定位控制方法

摘要

本发明采用晶片电阻逐列定位的控制技术，解决了因光学元件非线性导致的光刻不能精确定位的问题。该方法如下：将薄膜晶片电阻基板固定于调阻机工作台上，通过图像传感器采集监视定位影像；根据每颗电阻的X、Y振镜初始位置数组进行初定位；再控制X、Y振镜逐次微量转动到期望位置，记录每颗电阻的X、Y振镜的偏移量到偏差数组中；再计算初始位置与偏移量的代数和得到一行晶片电阻的实际位置数组。这种方法适用于所有的扫描振镜控制激光精确定位的应用场合，适用性强；因为采用的是逐列定位方式，定位精度高，近零误差。

主权项

一种薄膜晶片调阻的光刻逐列定位控制方法，其特征在于包括下述步骤：一、设薄膜晶片电阻基板上分布有尺寸相同的M行N列晶片电阻，根据式(1)、(2)计算每颗晶片电阻宽度对应的X振镜转角增量Δθ_x和长度对应的Y振镜转角增量Δθ_y：${\mathrm{\Delta \theta }}_x=\frac{W}{2\times f}---\left(1\right)$${\mathrm{\Delta \theta }}_y=\frac{L}{2\times f}---\left(2\right)$其中W为晶片电阻的宽，L为晶片电阻的长，f为聚焦场镜的焦距；二、设θ_xB为X振镜的初始转角位置，θ_yB为Y振镜的初始转角位置，根据式(3)、(4)计算X振镜的初始位置STARTX和Y振镜的初始位置STARTY：STARTX＝2×f×θ_xB    (3)STARTY＝2×f×θ_yB    (4)三、根据式(5)、(6)计算单行每颗晶片电阻对应的X、Y振镜初始定位位置，并将其存入X、Y振镜初始定位位置数组表；POSX[i]＝STARTX+2×f×Δθ_x×i  (5)POSY[i]＝STARTY  (6)其中i为一行晶片电阻中的第i颗晶片电阻的列号，POSX[i]、POSY[i]分别为一行内第i颗晶片电阻的初始定位位置；四、将薄膜晶片电阻基板固定于调阻机工作台面上，利用图像传感器采集薄膜上的晶片电阻图像；使任一行晶片电阻中X振镜初始定位位置STARTX和Y振镜初始定位位置STARTY对应的晶片电阻的特征点对准图像传感器中心线；五、按照第i颗电阻的X、Y振镜初始定位位置数据，控制X、Y振镜对第i颗晶片电阻的起刻点进行初始定位，图像传感器随之移动；分别控制X、Y振镜逐次微量转动到当前颗晶片电阻的X、Y期望目标位置，分别记录此过程中X、Y振镜的偏移量，把偏移量存储在X振镜偏差量数组和Y振镜偏差量数组中；i从0增加到N，以此类推，直至将一行所有的晶片电阻对应的X、Y振镜偏差量都分别存入X、Y振镜偏差量数组中；六、分别根据X、Y振镜初始定位位置数组表和X、Y振镜偏差量数组表，根据式(7)、(8)计算每一颗晶片电阻对应的X、Y振镜的实际控制位置数据：CXi＝POSX[i]+ERRX[i]  (7)CYi＝POSY[i]+ERRY[i]  (8)其中CXi、CYi分别为第i颗晶片电阻对应的X、Y振镜的实际控制位置数据，ERRX[i]、ERRY[i]分别为一行内第i颗晶片电阻的位置偏差量。