发明名称 极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法
摘要 本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法,其中极紫外光刻机光源系统包括:激光辐射装置,适于提供激光辐射;极紫外光激发源,适于接受激光辐射产生极紫外光;收集器,用于收集极紫外光;其中,所述收集器包括若干反射镜,所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态,其中,所述反射态适于反射极紫外光;非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
申请公布号 CN104345569B 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201310315161.5 申请日期 2013.07.24
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 徐依协
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种极紫外光刻机光源系统,其特征在于,包括:激光辐射装置,适于提供激光辐射;极紫外光激发源,适于接受激光辐射而产生极紫外光,在激光辐射中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源;收集器,用于收集极紫外光;其中,所述收集器包括若干反射镜,所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态,其中,所述反射态时所述若干反射镜均反射极紫外光;非反射态时所述若干反射镜均躲避凝聚态颗粒污染;其中,凝聚态颗粒于激光辐射后T时间到达收集器。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号