发明名称 一种精确测量介电常数的测试系统及方法
摘要 一种精确测量介电常数的测试系统,包括天线部分、射频电路部分以及数据处理显示部分;天线部分包括测试天线和散射样本;射频电路部分包括射频信号源和射频电路,其中射频电路由定向耦合器、低噪声放大器、功分器、混频器以及低通滤波器组成;数据处理显示部分由放大电路与ARM开发板组成;利用天线输入阻抗的变化和辐射场准确测量出样本的电磁参数。本发明具有能够精确测量低介电常数材料和高介电常数材料,误差小;测试系统简单,便于集成;散射体样本形状简单易于加工,可以对散射体样本进行扫频测试的特点。
申请公布号 CN103913640B 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201410049841.1 申请日期 2014.02.12
申请人 南京信息工程大学 发明人 文舸一;蒋佳佳;王峰
分类号 G01R27/26(2006.01)I 主分类号 G01R27/26(2006.01)I
代理机构 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人 顾进
主权项 一种精确测量介电常数的测试系统,其特征在于:包括天线部分、射频电路部分以及数据处理显示部分;所述天线部分包括测试天线和散射体样本;所述射频电路部分包括射频信号源和射频电路,其中射频电路由定向耦合器、低噪声放大器、功分器、混频器以及低通滤波器组成;所述数据处理显示部分由放大电路与ARM开发板组成;测量的具体步骤为:(1)给测试天线施加一个激励,产生辐射场,同时测试天线在端口处具有输入阻抗;随后放入散射体样本,测试天线产生新的辐射场,同时在端口处具有新的输入阻抗,通过辐射场与输入阻抗的变化求出散射体样本的介电常数和损耗,公式如下:<maths num="0001"><math><![CDATA[<mrow><msup><mi>Z</mi><mo>&prime;</mo></msup><mo>-</mo><mi>Z</mi><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><msup><mi>I</mi><mn>2</mn></msup></mfrac><munder><mo>&Integral;</mo><msub><mi>V</mi><mi>p</mi></msub></munder><mo>{</mo><mo>-</mo><mo>&lsqb;</mo><msup><mi>&sigma;</mi><mo>&prime;</mo></msup><mo>-</mo><mi>&sigma;</mi><mo>+</mo><mi>j</mi><mi>&omega;</mi><mrow><mo>(</mo><msup><mi>&epsiv;</mi><mo>&prime;</mo></msup><mo>-</mo><mi>&epsiv;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&rsqb;</mo><msup><mi>E</mi><mo>&prime;</mo></msup><mo>&CenterDot;</mo><mi>E</mi><mo>}</mo><mi>d</mi><mi>V</mi></mrow>]]></math><img file="FDA0001202287420000011.GIF" wi="1844" he="286" /></maths>其中,无样本时测试天线的输入阻抗为Z,测试天线终端的电流为I即为Z的倒数,σ为空气的电导率为0,ε为空气的介电常数即ε<sub>0</sub>为空气介电常数,E为V<sub>P</sub>样本体积内的电场在仿真中提取,ω为天线的角频率,f为天线激励的频率,有样本时测试天线的输入阻抗为Z',σ'为样本的电导率,ε'为要求样本的介电常数ε'=ε<sub>0</sub>ε<sub>r</sub>,E'为V<sub>P</sub>内的电场,可以通过E计算得出,计算出无样本时测试天线的输入阻抗Z和有样本时测试天线的输入阻抗Z';(2)利用电磁场仿真软件进行模拟和仿真,设计出一个贴片微带天线,得到要求的输入阻抗和电场分布,再用Matlab对仿真的数据进行处理验证;(3)按照仿真的贴片微带天线做出实物,用网络分析仪测量中心频点和输入阻抗,验证贴片微带天线实物的正确性;(4)加工好待测的散射体样本,用不同的微波材料加工成不同的形状;(5)将散射体样本放入贴片微带天线的辐射场中,测出此时贴片微带天线的输入阻抗;(6)通过测试系统自动计算出散射体样本的相对介电常数(ε<sub>r</sub>)和损耗角正切(tanδ);(7)改变测试频率,重复以上步骤,对散射体样本进行扫频测试,测量不同频率下的相对介电常数和损耗角正切。
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