用于制作具有台阶式侧壁的IC的方法及相关IC器件

摘要

一种方法用于制作集成电路(IC)器件。该方法可以包括：将晶片划切成多个IC裸片，每个IC裸片具有活性表面、与该活性表面相反的后表面以及具有台阶的侧壁，其中，该台阶限定了与该后表面相邻的较小周边以及与该活性表面相邻的较大周边。该方法可以包括：在每个IC裸片的后表面与对应的衬底之间、并围绕每个IC裸片安置树脂材料，从而使得该树脂材料紧靠着该台阶并由该台阶保持住。

主权项

一种用于制作集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括：将晶片划切成多个IC裸片，每个IC裸片具有活性表面，与所述活性表面相反的后表面，以及在其中具有台阶的侧壁，所述台阶限定了与所述后表面相邻的较小周边以及与所述活性表面相邻的较大周边；并且在每个IC裸片的所述后表面与对应的衬底之间、并围绕每个IC裸片安置树脂材料，从而使得所述树脂材料紧靠着所述台阶并由所述台阶保持住。