发明名称 |
固态存储装置及其相关读取控制方法 |
摘要 |
本发明公开了一种固态存储装置的读取控制方法,包括下列步骤:于一硬式译码流程失败时,一控制电路根据该硬式译码流程中所产生的多个硬式信息来产生一第一直方图参数与一第二直方图参数;将该第一直方图参数与该第二直方图参数代入一电压偏移函数产生一电压偏移量,并据以产生一第一感测电压、一第二感测电压与一第三感测电压;以及提供该第一感测电压、该第二感测电压与该第三感测电压至一非易失性存储器,使得该非易失性存储器产生一软式信息。 |
申请公布号 |
CN106548802A |
申请公布日期 |
2017.03.29 |
申请号 |
CN201510594881.9 |
申请日期 |
2015.09.17 |
申请人 |
光宝电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司 |
发明人 |
曾士家;傅仁杰 |
分类号 |
G11C16/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种固态存储装置,包括:一非易失性存储器;一控制电路,连接至该非易失性存储器,该控制电路可对该非易失性存储器进行一硬式译码流程与一软式译码流程,其中,于进行该硬式译码流程失败时,该控制电路根据该硬式译码流程中所产生的至少三个硬式信息来产生一第一直方图参数与一第二直方图参数;其中,于进行该软式译码流程时,该控制电路根据该第一直方图参数、该第二直方图参数与一电压偏移函数来产生一电压偏移量,并据以产生一第一感测电压、一第二感测电压与一第三感测电压以提供至该非易失性存储器,使得该非易失性存储器产生一软式信息。 |
地址 |
广东省广州市高新技术产业开发区科学城光谱西路25号 |