成像探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种成像探测器的制造方法，包括：刻蚀基底上的牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；形成金属层；在金属层上形成第二介质层；利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，连接另外对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；并且所述的干法刻蚀不含有灰化制程,在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线,对干法刻蚀进行了改造，去除了其中的灰化工艺，利用对氮化硅材料刻蚀的刻蚀工艺，在同一步骤中实现对氮化硅和金属层的刻蚀。

主权项

一种成像探测器的制造方法，包括步骤：提供基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底内具有CMOS电路，在第一介质层内具有呈阵列排布的第一互连孔,所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层；其特征在于，还包括步骤：在所述基底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；在金属层上形成第二介质层；利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，并且其中连接对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；连接另外对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的部分被暴露,其中所述干法刻蚀方法为:利用HBr气体对第二介质层和金属层同步刻蚀；在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线；去除牺牲层。