氮化物半导体器件

摘要

氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×10¹⁷cm^‑3以上并且1.2×10¹⁸cm^‑3以下的第二氧浓度峰。

主权项

一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底(10)；形成在所述衬底(10)上并且具有异质界面的氮化物半导体叠层体(20、120)；和至少一部分形成在所述氮化物半导体叠层体(20、120)上或所述氮化物半导体叠层体(20、120)内的由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)，所述氮化物半导体叠层体(20、120)具有：形成在所述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1、101)；和形成在所述第一氮化物半导体层(1、101)上并且与所述第一氮化物半导体层(1、101)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2、102)，在从由所述TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)至所述氮化物半导体叠层体(20、120)的深度方向的氧浓度分布中，在比所述欧姆电极(11、12、111、112)与所述氮化物半导体叠层体(20、120)的界面更靠所述衬底(10)侧的区域的所述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比所述第一氧浓度峰深的位置具有第二氧浓度峰，所述第二氧浓度峰的氧浓度为3×10¹⁷cm^‑3以上并且1.2×10¹⁸cm^‑3以下，所述第二氧浓度峰的位置为距所述界面65nm以上并且110nm以下的深度。