一种改善金属互连工艺中线路断裂缺陷的方法

摘要

本发明提供一种改善金属互连工艺中线路断裂缺陷的方法，包括步骤：1）于NDC层表面形成低k介质层及八甲基环四硅氧烷层；2）对八甲基环四硅氧烷层进行N等离子体处理，于其表面形成氮化硅层；3）于氮化硅层表面形成硬掩膜层及金属层；4）去除部分的金属层及硬掩膜层形成刻蚀窗口；5）于金属层表面及刻蚀窗口中涂覆光刻胶，去除刻蚀窗口内的光刻胶；6）去除刻蚀窗口内的氮化硅层；7）刻蚀刻蚀窗口内的八甲基环四硅氧烷层、低k介质层及NDC层形成大马士革结构。本发明通过对八甲基环四硅氧烷层进行处理于表面形成氮化硅层，避免后续工艺中光刻胶与其反应而导致刻蚀停止的问题，从而改善线路断裂的缺陷。本发明步骤简单，适用于工业生产。

主权项

一种改善金属互连工艺中线路断裂缺陷的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)于NDC层表面依次形成低k介质层及八甲基环四硅氧烷层；2)对所述八甲基环四硅氧烷层进行N等离子体处理，于其表面形成氮化硅层；3)于所述氮化硅层表面依次形成硬掩膜层及金属层；4)采用光刻工艺去除部分的金属层及硬掩膜层形成刻蚀窗口，露出所述氮化硅层；5)于所述金属层表面及所述刻蚀窗口中涂覆光刻胶，曝光并去除所述刻蚀窗口内的光刻胶；6)去除所述刻蚀窗口内的氮化硅层；7)刻蚀所述刻蚀窗口内的八甲基环四硅氧烷层、低k介质层及NDC层形成大马士革结构。