发明名称 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用
摘要 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法:利用脉冲激光沉积技术在高品格失配单晶衬底上制备两相共存的BiFe0<sub>3</sub>薄膜;利用聚焦离子束刻蚀技术在上步制得的两相共存的BiFe0<sub>3</sub>薄膜中制备纯相纳米结构。还公开了所述薄膜纳米结构的应用。本发明的效果是利用外延生长技术和聚焦离子束刻蚀手段,成功制备出一种具有巨大形状记忆效应的铁电氧化物材料。电场、温度、应力都可以对此材料的形状记忆应变产生作用,其最大可逆应变高达14%。由于电场也可以实现对此材料的形状记忆效应的调控,使其工作频率高于传统的合金材料,加之这种形状应变是在纳米尺度下实现的,从而使其有可能替代传统的合金材料在小尺寸下的传感、驱动等应用。
申请公布号 CN104103752B 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201310129511.9 申请日期 2013.04.15
申请人 北京师范大学 发明人 张金星;柯小行
分类号 H01L41/39(2013.01)I;C23C16/515(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I 主分类号 H01L41/39(2013.01)I
代理机构 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人 张文祎
主权项 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)利用脉冲激光沉积技术在高晶格失配单晶衬底上制备两相共存的BiFeO<sub>3</sub>薄膜;(2)利用聚焦离子束刻蚀技术在上步制得的两相共存的BiFeO<sub>3</sub>薄膜中制备纯菱形相纳米结构;所述两相共存中的两相为菱形相与四方相,所述菱形相的尺寸为30‑100纳米。
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