一种高光效LED芯片结构

摘要

本实用新型公开了一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、DBR反射层，LED芯片表面设置有接触电极，所述DBR反射层上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔，所述N电极导孔内设置有导电金属，所述N电极导孔分别连接N型层和接触电极。本实用新型通过在N型层上方的DBR反射层上设置有多个分散的N电极导孔，使N型层多处与N接触电极电连接，工作时电流均匀通过N型层，解决N型层内部电流不均匀的问题，提高芯片的光效。

主权项

一种高光效LED芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型层、量子阱有源区、P型层、DBR反射层，LED芯片表面设置有接触电极，其特征在于：所述DBR反射层上通过腐蚀设置有多个分散的N电极导孔，所述N电极导孔内设置有导电金属，所述N电极导孔分别连接N型层和接触电极。