发明名称 |
一种刻蚀工艺 |
摘要 |
本发明提供了一种刻蚀工艺。该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤,刻蚀步骤和沉积步骤交替循环,刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低,当深宽比达到预设值时,则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤:第一步骤,通入刻蚀气体,保持沉积功率继续加载第一预设时间,直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外;第二步骤,切换沉积功率为刻蚀功率,直至刻蚀步骤结束。本发明提供的刻蚀工艺,其可以实现更高的深宽比,如60:1甚至更高。 |
申请公布号 |
CN106548933A |
申请公布日期 |
2017.03.29 |
申请号 |
CN201510610940.7 |
申请日期 |
2015.09.23 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
谢秋实 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种刻蚀工艺,其包括刻蚀步骤和沉积步骤,所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环,所述刻蚀步骤和所述沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低,其特征在于,当深宽比达到预设值时,则后续每次所述刻蚀步骤包括以下步骤:第一步骤,通入刻蚀气体,保持沉积功率继续加载第一预设时间,直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外;第二步骤,切换沉积功率为刻蚀功率,直至所述刻蚀步骤结束。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |