高密度集成电路封装结构以及集成电路

摘要

本发明涉及一种高密度集成电路封装结构以及集成电路，属于集成电路封装的技术领域。本发明所述的高密度集成电路封装结构，包括密封金属引线框、芯片以及微米级连接线的长方体塑封结构，所述塑封结构的长度A1满足关系：1.20 mm +（B‑8）×0.3 mm /2≤A1≤4.50 mm +（B‑8）×1.00 mm /2；塑封结构的宽度A2满足关系：1.20 mm≤A2≤3.50 mm；塑封结构的厚度A3满足关系：A3≥0.35mm；B为外引脚线的个数。本发明的封装结构，能够适应芯片制造技术从微米级向亚微米，纳米级发展的需要，满足了低功耗、高速度、大容量、小体积的便携式产品需求。

主权项

高密度集成电路封装结构，包括：金属引线框，所述金属引线框包括引线框基岛、内引脚线和外引脚线；固定在引线框基岛上的芯片；以及芯片和内引脚线之间的微米级连接线；和密封所述金属引线框、芯片以及微米级连接线的长方体塑封结构，其特征在于：所述塑封结构的长度A1满足关系：1.20mm+(B‑8)×0.3mm/2≤A1≤4.50mm+(B‑8)×1.00mm/2；塑封结构的宽度A2满足关系：1.20mm≤A2≤3.50mm；塑封结构的厚度A3满足关系：0.35mm≤A3≤0.85mm；B为外引脚线的个数，且为满足4≤B≤68的整数；所述微米级连接线为直径为10～25微米的合金线，所述微米级连接线与芯片之间通过软钎焊电性连接；所述微米级连接线与内引脚线之间通过软钎焊电性连接；软钎焊材料使用无铅钎料，并且所述无铅钎料含有3.2～3.6wt％的In、1.3～1.5wt％的Ag、0.5～0.6wt％的Bi、0.25～0.30wt％的Cu、0.10～0.15wt％的Ge，和余量的Sn；所述塑封结构采用环氧树脂组合物封装而成，所述环氧树脂组合物由双酚F型环氧树脂、苯乙烯‑马来酸酐共聚物、聚乙醇二缩水甘油醚、聚丙二醇聚四氢呋喃端羟基聚酯、聚丁烯基琥珀酰亚胺、白炭黑、硅烷偶联剂和脱模剂组成，所述塑封结构的底部开设有应力释放槽，所述应力释放槽为螺旋形槽体，在所述螺旋形槽体内填充有聚丁烯基琥珀酰亚胺和氨基聚酰胺树脂的组合物，并在40‑50℃固化处理3.0‑5.0min，其中：聚丁烯基琥珀酰亚胺和氨基聚酰胺树脂的质量比为3:1。