射频N型LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频N型LDMOS器件，器件形成P阱上，P阱将源区和源端的轻掺杂漏注入区完全包覆；漏端包括第二N型轻掺杂漏注入区和漏区，漏区和多晶硅栅相隔一段距离，由第二N型轻掺杂漏注入区组成器件的漂移区，P阱仅和第二N型轻掺杂漏注入区部分交叠，并不包覆外侧的第二N型轻掺杂漏注入区和漏区。本发明还公开了一种射频N型LDMOS器件的制造方法。本发明能降低器件的寄生电容以及导通电阻，且工艺简单并能提高RFLDMOS工艺的竞争力。

主权项

一种射频N型LDMOS器件，其特征在于，包括：P型半导体衬底，在所述P型半导体衬底中形成有P阱；在所述半导体衬底上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述半导体衬底之间隔离有栅介质层；所述多晶硅栅将部分所述P阱覆盖，且由所述多晶硅栅所覆盖的所述P阱表面用于形成沟道；在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成有侧墙；在所述多晶硅栅的源端一侧的所述半导体衬底中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源区；所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘自对准，所述源区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘自对准；所述源区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深；在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述半导体衬底中形成有第二N型轻掺杂漏注入区、N型漏区；所述第二N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘自对准，所述漏区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离；所述漏区的结深小于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深、且所述漏区位于所述第二N型轻掺杂漏注入区中；所述P阱向所述多晶硅栅的源端一侧延伸并将所述N型轻掺杂漏注入区和所述源区都包覆；所述P阱向所述多晶硅栅的漏端一侧延伸一段距离并和所述第二N型轻掺杂漏注入区相交叠、且所述P阱和所述漏区相隔一段距离；未被所述P阱包覆部分的所述第二N型轻掺杂漏注入区和所述漏区直接和所述P型半导体衬底形成PN结，所述半导体衬底的掺杂浓度要低于所述P阱的掺杂浓度，使未被所述P阱包覆部分的所述第二N型轻掺杂漏注入区和所述漏区和所述P型半导体衬底之间形成的结电容减少；同时，所述P阱和所述第二N型轻掺杂漏注入区的交叠区域越小、射频N型LDMOS器件的导通电阻越低。