| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，形成所述有源层的步骤包括：形成保温层的图形；在所述保温层上形成非晶硅层的图形，所述非晶硅层的图形包括位于所述保温层上的第一部分和超出所述保温层之外的第二部分；利用激光退火工艺对所述非晶硅层的图形进行处理使得所述非晶硅层沿从所述第二部分到所述第一部分的方向生长晶粒，形成由多晶硅组成的所述有源层。本发明的技术方案能够以较低的成本制备晶粒尺寸较大且均匀性较好的多晶硅有源层，进而提高薄膜晶体管的载流子迁移率和阈值电压的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN106548980A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201710071073.3 | 申请日期 | 2017.02.09 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李小龙;李栋;张慧娟;刘政 |
| 分类号 | H01L21/77(2017.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2017.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 刘伟;张博 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，其特征在于，形成所述有源层的步骤包括：形成保温层的图形；在所述保温层上形成非晶硅层的图形，所述非晶硅层的图形包括位于所述保温层上的第一部分和超出所述保温层之外的第二部分；利用激光退火工艺对所述非晶硅层的图形进行处理，形成由多晶硅组成的所述有源层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||