| 摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN, zawierająca objętościowe podłoże (4) z azotku galu, dolną warstwę okładkową (5) o przewodnictwie elektrycznym typu n, dolną warstwę światłowodową (6) o przewodnictwie elektrycznym typu n, warstwę emitującą światło (7), warstwę blokującą elektrony (8) o przewodnictwie elektrycznym typu p, górną warstwę światłowodu (9), górną warstwę okładkową o przewodnictwie elektrycznym typu p (10) i warstwę podkontaktową (11) o przewodnictwie elektrycznym typu p, przy czym objętościowe podłoże (4) z azotku galu posiada przestrzennie zmienną dezorientację powierzchni w stosunku do płaszczyzny krystalograficznej M z zakresu od 0° do 10°. |
