仮固定用フィルム、仮固定用フィルムシート及び半導体装置

摘要

本発明に係る仮固定用フィルムは、半導体ウェハを支持体に仮固定用フィルムを介して仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された半導体ウェハを支持体及び仮固定用フィルムから分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる仮固定用フィルムであって、（Ａ）高分子量成分及び（Ｂ）シリコーン変性樹脂を含有し、１１０℃で３０分間及び１７０℃で１時間加熱された後の弾性率が２３℃において０．１〜１０００ＭＰａである。