| 摘要 |
このシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハに対して、酸化性雰囲気中でＲＴＰ処理を行う第１熱処理工程と、シリコンウェーハにおいて、第１熱処理工程で酸素濃度が増加した領域を除去する工程と、この除去工程を実施した後、シリコンウェーハに対して、窒化性雰囲気中、またはＡｒ雰囲気中で、ＲＴＰ処理を行う第２熱処理工程と、第２熱処理工程を実施した後、シリコンウェーハにおいて、第２熱処理工程により酸素濃度が減少した領域を除去する工程とを有する。この方法により、ＯＳＦ核やＰＶ領域に存在する酸素析出核のような潜在的な欠陥が消滅または低減されているとともに、ゲッタリングサイトを有するシリコンウェーハを製造することができる。 |
