| 摘要 |
【課題】キャビティ方向に直交する方向の幅が比較的狭い傾斜基板を用いた場合であっても、良好にサブマウントに接合することができる半導体レーザ素子および半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子は、傾斜基板１１と、傾斜基板１１上に形成された、少なくとも活性層１２を含む多層の半導体層と、傾斜基板１１における半導体層とは反対側の面に形成された第１電極（ｎ型電極）１３と、半導体層上に形成された第２電極（ｐ型電極）１４と、前記半導体層に形成された、活性層１２の特定領域に電流を集中して注入するための電流狭窄部（リッジ部１５）と、を備える。電流狭窄部の第１方向における形成位置は、第１電極が形成されている側と第２電極が形成されている側とのうち、サブマウントに接合される側のチップ幅の中心位置よりも、サブマウントに接合される側とは反対側のチップ幅の中心位置側に設定されている。【選択図】 図１ |
