发明名称 半導体記憶装置および半導体記憶装置におけるデータ消去方法
摘要 【課題】ブロック内の一部のページのデータを安全、かつ高速に消去できるようにする。【解決手段】本開示の半導体記憶装置は、複数のページを有するブロックと、データの書き込み、消去および読み出しの制御を行うコントローラとを備え、各ページは、それぞれが4段階以上のステートのうちのいずれかの段階のステートに変化し得る複数のメモリセルを有し、コントローラは、複数のページのうち、一部のページのみを消去する場合に、一部のページに、ステートの変化が1段階しか起きないような所定のデータを上書きする。【選択図】図1
申请公布号 JP2017059281(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150181628 申请日期 2015.09.15
申请人 ソニー株式会社 发明人 伊達 一行
分类号 G11C16/02;G06F3/08;G11C16/04 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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