发明名称 |
半導体記憶装置および半導体記憶装置におけるデータ消去方法 |
摘要 |
【課題】ブロック内の一部のページのデータを安全、かつ高速に消去できるようにする。【解決手段】本開示の半導体記憶装置は、複数のページを有するブロックと、データの書き込み、消去および読み出しの制御を行うコントローラとを備え、各ページは、それぞれが4段階以上のステートのうちのいずれかの段階のステートに変化し得る複数のメモリセルを有し、コントローラは、複数のページのうち、一部のページのみを消去する場合に、一部のページに、ステートの変化が1段階しか起きないような所定のデータを上書きする。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017059281(A) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
申请号 |
JP20150181628 |
申请日期 |
2015.09.15 |
申请人 |
ソニー株式会社 |
发明人 |
伊達 一行 |
分类号 |
G11C16/02;G06F3/08;G11C16/04 |
主分类号 |
G11C16/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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