发明名称 高周波モジュール
摘要 高周波信号が複数の第1フィルタ素子を伝搬する主伝搬経路とは別に、第1インダクタと整合素子との間に生じる誘導性結合又は容量性結合の経路、又は、第1インダクタと第2インダクタとの間に生じる誘導性結合の経路を介する副伝搬経路が形成される。副伝搬経路は、誘導性結合又は容量性結合の結合度によって主伝搬経路とは異なる振幅特性及び位相特性となり、副伝搬経路の振幅特性及び位相特性を調整することで、高周波モジュールとしての伝送特性を調整することができる。これにより、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。
申请公布号 JPWO2015104882(A1) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150556711 申请日期 2014.10.15
申请人 株式会社村田製作所 发明人 竹内 壮央;川崎 幸一郎;小中 陽平
分类号 H03H9/64;H03H9/25 主分类号 H03H9/64
代理机构 代理人
主权项
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