| 摘要 |
本発明は、半導体基板上にポリシリコンを形成する方法であって、半導体基板上にアモルファスシリコンを提供するステップと、アモルファスシリコンの少なくともある領域を第１レーザビームおよび第２レーザビームに曝すステップとを含み、前記領域を第２レーザビームに曝す間に、前記領域に対してレーザビームを相対的に変位させないことを特徴とする方法を対象としている。また、本発明は、大粒径ポリシリコンを製造するための上記方法の使用を対象としている。特に、本発明は、縦方向粒子ポリシリコンを製造するための上記方法の使用を対象としている。さらに、本発明は、センサ、ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳ、不揮発性メモリ、揮発性メモリ、ＮＡＮＤフラッシュ、ＤＲＡＭ、ポリシリコン接点および配線を製造するための上記方法の使用を対象としている。【選択図】図１ |
