半導体ナノワイヤの製造方法および半導体ナノワイヤを含む構造

摘要

【課題】基板１、２０、５０上に半導体ナノワイヤ１２、４０、４１、４５、５７を製造するための方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤ・テンプレート３、６、２２、２４、３１、３２が、基板上に形成される。ナノワイヤ・テンプレートは、テンプレート内の開口７、２５とシード表面１０、２７、３４との間に基板上を横方向に延びる細長いトンネル８、２６、３３を画定する。シード表面１０、２７、３４は、トンネルに露出され、最大で約２ｘ１０４ｎｍ２の面積を有する。半導体ナノワイヤは、前記開口を介してテンプレート内でシード表面から選択的に成長させられる。好ましくは、シード表面１０、２７、３４の面積は、ナノワイヤの成長がシード表面上の単一の核形成点から進むようなものである。【選択図】図５