发明名称 半導体メモリ及び半導体メモリのベリファイ方法
摘要 【目的】ベリファイテストに費やされる時間の短縮を図ることが可能な半導体メモリ及び半導体メモリのベリファイ方法を提供することを目的とする。【構成】データラインを介して入力された入力データと、メモリ部から読み出された読出データ(又は読出データに基づくCRC値)とを比較し、両者が同一値である場合には書込正常を示すベリファイ結果信号を生成する一方、同一値ではない場合には書込エラーを示すベリファイ結果信号を生成する比較部と、以下のベリファイ設定部を半導体メモリに設けるようにしている。ベリファイ設定部は、メモリ部から読み出された読出データを上記データラインに送出するデータ出力バッファをディスエイブル状態に設定する。【選択図】図1
申请公布号 JP2017059278(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150180498 申请日期 2015.09.14
申请人 ラピスセミコンダクタ株式会社 发明人 山内 索;宮崎 聡司
分类号 G11C29/12;G06F12/16 主分类号 G11C29/12
代理机构 代理人
主权项
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