| 摘要 |
【課題】半導体素子の反射面及びＶＢＧ等の光学素子の反射面が非平行となる要因の発生を抑制することにより、レーザ光の出力低下を抑制可能な外部共振器型レーザ装置を実現することを目的とする。【解決手段】 外部共振器型レーザ装置は、半導体素子から出射される光のうち、特定の波長帯を選択して反射することにより、半導体素子との間で外部共振器を形成する光学素子と、光学素子に比べて線膨張係数が大きい材料からなる支持部材と、光学素子と支持部材との間に位置し、支持部材に比べて光学素子に近い線膨張係数の材料からなる第一マウントと、を有する。光学素子は、第一マウントに接着される。第一マウントは、ショア硬度が６５以下の接着剤により支持部材に接着される。【選択図】 図３ |
