发明名称 窒化物半導体素子
摘要 窒化物半導体素子は、凹凸表面を有する基板と、基板上の窒化物半導体下地層と、窒化物半導体下地層上の窒化物半導体機能層とを含んでいる。窒化物半導体下地層は、C面に対して50°以上65°以下の角度で傾斜する傾斜面からなる凹凸面を表面として含んでいる。窒化物半導体機能層は、窒化物半導体下地層の凹凸面上に設けられている。
申请公布号 JPWO2015115266(A1) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150559883 申请日期 2015.01.21
申请人 シャープ株式会社 发明人 駒田 聡
分类号 H01L21/205;H01L33/22;H01L33/32 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
地址