| 摘要 |
電力変換装置の大出力化にともなうチップ温度上昇の抑制と、電力変換装置の小型化である。インバータ回路の上アームを構成する第１パワー半導体素子１ａと、インバータ回路の下アームを構成する第２パワー半導体素子１ｃと、第１パワー半導体素子１ａに電力を伝達する第１リードフレーム３と、第２パワー半導体素子１ｃに電力を伝達する第２リードフレーム４と、第１パワー半導体素子１ａに制御信号を伝達する第１ゲートリードフレーム５と、第１パワー半導体素子１ａと、第２パワー半導体素子１ｃと、第１リードフレーム３と、第２リードフレーム４と、第１ゲートリードフレーム５と、を封止する封止部材と、を備え、前記封止部材は、貫通孔が形成され、前記貫通孔の内周面には、第１ゲートリードフレームの一部が露出するとともに、第２リードフレーム４の一部が露出するパワー半導体装置。 |
