| 摘要 |
α線量が０．００５ｃｐｈ／ｃｍ２以下であることを特徴とする低α線ビスマス。α線量が０．２ｃｐｈ／ｃｍ２以下であるビスマスを原料とし、電気分解によりビスマス濃度を５〜５０ｇ／Ｌ、ｐＨ０．０〜０．４の硝酸ビスマス溶液を作製し、この溶液に吸着材を添加してポロニウムを吸着させ、これをろ過して吸着材とろ液に分離し、次にこのろ液を電解採取してビスマスを回収することを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められている。本発明は、ビスマスのα線発生の現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるビスマスのα線量を低減させた高純度ビスマス及びその製造方法を提供する。【選択図】図２ |
