| 摘要 |
【課題】向上したパッシベーション特性を有する光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換素子１は、半導体基板１１の第２の表面１１ｂ上に設けられたトンネル誘電体層２０と、トンネル誘電体層２０上に設けられるとともに、ｉ型を有する第１の非晶質半導体層１５と、トンネル誘電体層２０上に設けられるとともに、第１の導電型を有する第１の非晶質半導体領域１６と、トンネル誘電体層２０上に設けられるとともに、第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の非晶質半導体領域１７とを備える。第１の非晶質半導体領域１６は第１の導電型を有する第１の不純物を含む。第２の非晶質半導体領域１７は第２の導電型を有する第２の不純物を含む。第１の非晶質半導体層１５、第１の非晶質半導体領域１６及び第２の非晶質半導体領域１７は、連続して延在する１つの層を構成する。【選択図】図２ |
