半導体装置および半導体装置の製造方法

摘要

【課題】結晶欠陥の発生を抑制しつつ不純物プロファイルの変更を伴うことなく高ｈＦＥ特性を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、Ｎ型の半導体基板１０の表面に形成されたＰ型のＰウェル１２を含んで構成されるコレクタと、Ｐウェル１２内に設けられたＮ型のＮウェル１４を含んで構成されるベースと、Ｎウェル１４に形成された凹部１４Ａの表面に設けられたＰ型を有するエミッタ３１と、を含む。【選択図】図２