发明名称 半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、および波長可変レーザアセンブリ
摘要 半導体レーザアレイは、互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザを備え、前記各半導体レーザは、交互に積層した複数の井戸層と障壁層とを有する多重量子井戸構造を含む活性層と、該活性層を厚さ方向より挟んで形成され、該活性層の前記障壁層よりもバンドギャップエネルギーの大きなn側分離閉じ込めヘテロ構造層およびp側分離閉じ込めヘテロ構造層とを備え、前記活性層には、n型不純物がドーピングされている。これにより、広帯域において高強度なレーザ光を出力できる半導体レーザアレイを提供する。
申请公布号 JPWO2015099176(A1) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150555075 申请日期 2014.12.26
申请人 古河電気工業株式会社 发明人 伊藤 章;吉田 順自;清田 和明
分类号 H01S5/20;H01S5/022;H01S5/12;H01S5/34;H01S5/40 主分类号 H01S5/20
代理机构 代理人
主权项
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