| 摘要 |
ダイオードの損失とノイズを低減することを目的として、本発明の半導体素子の駆動装置は、第１導電型の第１半導体層（ｎ-型ドリフト層）と、前記第１半導体層と隣接し、一方の主表面（アノード側）に露出する第２導電型の第２半導体層（ｐ型アノード層）と、前記第１半導体層と隣接し、第１導電型で、他方の主表面（カソード側）に露出し、前記第１半導体層（ｎ-型ドリフト層）より不純物濃度が高い第３半導体層（ｎ型カソード層）と、前記他方の主表面（カソード側）に絶縁ゲートを設けた半導体素子において、アノード電流が大きい時は、リカバリー直前に絶縁ゲートを正電圧から負電圧に切り替え、アノード電流が小さい時は、絶縁ゲートを正電圧に保持することを特徴とする。 |
