发明名称 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
摘要 【課題】被加工物の被加工面に研磨ダメージを与えること無く被加工面を平坦化することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、金属を含み凹凸を有する被加工物に処理液を供給する工程と、前記被加工物に第1触媒を接触させて前記被加工物の凹凸表面に酸化膜を形成し、第2触媒と前記酸化膜が形成された凹凸の凸部とを相互に接触または接近させて前記凸部表面の前記酸化膜を前記処理液中に溶出させる工程と、を持つ。【選択図】図2
申请公布号 JP2017059675(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150183159 申请日期 2015.09.16
申请人 株式会社東芝 发明人 側瀬 聡文;松井 之輝;川崎 貴彦
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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