| 摘要 |
【課題】光半導体素子を封止層によって封止する工程（２）において、光半導体素子と感圧接着層との間に、封止層が進入することを抑制することができるとともに、封止光半導体素子を感圧接着層から剥離する工程（３）において、感圧接着層が、封止光半導体素子における光半導体素子の電極面に付着することを抑制することのできる、封止光半導体素子および発光装置の製造方法を提供すること。【解決手段】封止光半導体素子１１の製造方法は、電極６が設けられる電極面３を有する光半導体素子１の電極６を、感圧接着層９に感圧接着する工程（１）、工程（１）の後に、光半導体素子１を封止層１０によって封止する工程（２）、および、工程（２）の後に、封止光半導体素子１１を感圧接着層９から剥離する工程（３）を備える。感圧接着層９の剥離接着力ＰＳが、２２０ｍＮ／１０ｍｍ２以上、３００ｍＮ／１０ｍｍ２以下である。【選択図】図１ |
