| 摘要 |
シリコンを主成分とする第１の膜に対して、前記第１の膜よりもシリコン含有率が少ない膜である第２の膜に対して、高選択にエッチングする技術を提供するために、シリコンを主成分とする第１の膜と前記第１の膜よりもシリコン含有率が少ない第２の膜を含む積層膜を形成し、形成された積層膜に複数の第一穴を設けて第１微細パターンを形成する工程と、前記複数の第一穴夫々にチャネルを形成した後、前記夫々のチャネル間に第二穴を設けて第２微細パターンを形成する工程と、前記第２微細パターンにフッ素を含むエッチングガスを供給して、前記第二穴に隣接された前記第１の膜を除去するエッチング工程と、を有し、前記エッチング工程では、前記第２の膜と同じ膜種で形成された前記チャネルを形成する膜に前記エッチングガスが到達するまで前記第１の膜を除去するように構成する。【選択図】図５ |
