高アスペクト比構造を製造するデバイスおよび方法

摘要

高い集電比表面積および比出力を得ることができる集電体を有する電子デバイスを製造する方法を提供するが、これは、簡単かつ迅速な技術を用いて実現され、屈曲させることもできる、大規模処理で製造することができる頑健な設計をもたらす。この目的のために、電子デバイスは、６００ｎｍ超の相互間距離を有する高アスペクト比構造のピラーの形成する面を有する金属基板で構成された集電体を備えた電子回路を含む。金属基板内に高アスペクト比構造を形成することにより、マクロフォームの湾曲にコンフォーマルな、あるいはコイル化する、または巻回することができ、頑健な設計を有する、新たな構造を形成することができる。【選択図】図１