发明名称 |
誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
摘要 |
【課題】少なくとも8V/μmのDCバイアス印加時に900以上の比較的高い比誘電率を有する誘電体組成物およびその誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供すること。【解決手段】主成分が下記式(1)の組成を有する誘電体組成物であって、a、b、c、dは、それぞれ、0.09≦a≦0.58、0.09≦b≦0.42、0.05≦c≦0.84、0<d≦0.08および0.95≦a+b+c≦1.05を満たすことを特徴とする。(BiaNabSrc)(ZndTi1−d)O3…(1)【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017507894(A) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
申请号 |
JP20160564416 |
申请日期 |
2015.01.21 |
申请人 |
エプコス アクチエンゲゼルシャフトEPCOS AG |
发明人 |
井村 友哉;田内 剛士;廣瀬 正和 |
分类号 |
C04B35/462;H01G4/12;H01G4/30 |
主分类号 |
C04B35/462 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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