| 摘要 |
【課題】微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。【解決手段】ゲート絶縁層に比誘電率が１０以上のｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることで、微小化したトランジスタのゲートリーク電流を低減させる。酸化物半導体層と接する第２の絶縁層よりも比誘電率が高い第１の絶縁層としてｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。【選択図】図１ |
