| 发明名称 |
新規なシクロジシラザン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜 |
| 摘要 |
本発明は、新規なシクロジシラザン誘導体およびその製造方法、並びにそれを用いたシリコン含有薄膜に関し、本発明のシクロジシラザン誘導体は、熱的安定性、高い揮発性および反応性を有し、常温および取り扱いが容易な圧力下で液体形態の化合物であって、様々な蒸着方法により、優れた物理的、電気的特性を有しながらも、高純度のシリコン含有薄膜を形成することができる。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017507908(A) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
| 申请号 |
JP20160545305 |
申请日期 |
2015.01.08 |
| 申请人 |
ディーエヌエフ カンパニー リミテッドＤＮＦ Ｃｏ． Ｌｔｄ． |
发明人 |
ジャン セ ジン;ヤン ビョン−イル;キム スン ギ;キム ジョン ヒュン;キム ド ヨン;イ サン−ド;ソク ジャン ヒョン;イ サン イック;キム ミョン ウン |
| 分类号 |
C07F7/21;C23C16/18;H01L21/316;H01L21/318 |
主分类号 |
C07F7/21 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
