| 摘要 |
半導体装置の特性を向上させる。半導体装置は、層間絶縁膜ＩＬ２上に形成されたコイルＣＬ１および配線Ｍ２と、層間絶縁膜ＩＬ３上に形成された配線Ｍ３と、層間絶縁膜ＩＬ４上に形成されたコイルＣＬ２および配線Ｍ４とを有する。そして、コイルＣＬ２と配線Ｍ４との距離ＤＭ４は、コイルＣＬ２と配線Ｍ３との距離ＤＭ３より大きい（ＤＭ４＞ＤＭ３）。また、コイルＣＬ２と配線Ｍ３との距離ＤＭ３は、コイルＣＬ１とコイルＣＬ２との間に位置する層間絶縁膜ＩＬ３の膜厚と層間絶縁膜ＩＬ４の膜厚との和以上である。これにより、高い電圧差が生じやすいコイルＣＬ２と配線Ｍ４との間などの絶縁耐圧を向上させることができる。また、トランス形成領域１Ａと、周辺回路形成領域１Ｂとを囲むシールリング形成領域１Ｃを設け、耐湿性の向上を図る。 |
