ＧａＮ基板、ＧａＮ基板の製造方法、ＧａＮ結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法

摘要

タイリング法を用いて製造される、主表面の法線とｍ軸との間の角度が０°以上２０°以下で、直径４５〜５５ｍｍの円盤形ＧａＮ基板において、当該基板を構成する結晶領域の個数を４個以下に削減するための技術を提供すること。好ましい実施形態によれば、第１主表面およびその反対側の第２主表面を有し、前記第１主表面の法線とｍ軸との間の角度が０°以上２０°以下である、直径４５ｍｍ以上の円盤形ＧａＮ基板であって、各々が前記第１主表面と第２主表面の両方に露出する４個以下の結晶領域から構成され、該４個以下の結晶領域は、前記第１主表面上におけるｃ軸の正射影の方向に沿って一列に並んでいるＧａＮ基板が提供される。