| 发明名称 |
半導体装置 |
| 摘要 |
バイポーラトランジスタＢＴを備えた半導体装置では、ピラーバン（２０）と、エミッタ層（５）に電気的に接続された第２配線（１４）とが接触する第３開口（１６）が、エミッタ層（５）の直上に対応する位置からエミッタ層（５）の長手方向にずらされて、第３開口（１６）が、エミッタ層（５）に対して、エミッタ層（５）の長手方向の端部と第３開口（１６）の開口端とがほぼ一致するように配置されている。 |
| 申请公布号 |
JPWO2015104967(A1) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
| 申请号 |
JP20150556754 |
申请日期 |
2014.12.17 |
| 申请人 |
株式会社村田製作所 |
发明人 |
梅本 康成;▲徳▼田 大輔;西明 恒和;徳矢 浩章 |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/13;H01L23/522;H01L29/737 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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