发明名称 磁気トンネル接合素子及び半導体記憶装置
摘要 【課題】磁気トンネル接合の抵抗値の電圧依存性を利用したデータ読み出し動作において十分な動作マージンを実現する磁気トンネル接合素子を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合素子は、第1の磁化自由層と第1の方向に磁化が向いた第1の磁化固定層とを含む第1の磁気トンネル接合と、スペーサを挟んで第1の磁化自由層に結合された第2の磁化自由層と第1の方向と反対の第2の方向に磁化が向いた第2の磁化固定層とを含む第2の磁気トンネル接合とを含み、第1の磁化自由層の磁化方向は第1の方向又は第2の方向のうち選択的に設定されたいずれか一方の方向に不揮発的に維持可能であり、第2の磁化自由層の磁化の反転し易さが第1の磁化自由層の磁化方向に応じて異なる。【選択図】図2
申请公布号 JP2017059740(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150184888 申请日期 2015.09.18
申请人 富士通株式会社 发明人 角田 浩司
分类号 H01L43/08;G11C11/15;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/10 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人
主权项
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