发明名称 |
冷却器、パワーデバイス、冷却器の製造方法、およびパワーデバイスの製造方法 |
摘要 |
【課題】冷却性能を維持することができる冷却器、パワーデバイス、冷却器の製造方法、およびパワーデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるヒートシンク12は、パワー半導体素子16の放熱を行う冷却器であって、内部に冷却媒体の流路31aを備える冷却器本体31と、流路31aの表面に設けられた、Niを含んでなる結晶粒を含む保護層32と、を具備してなり、結晶粒の一つあたりの平均面積が10μm2以下である。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017059673(A) |
申请公布日期 |
2017.03.23 |
申请号 |
JP20150183090 |
申请日期 |
2015.09.16 |
申请人 |
株式会社東芝 |
发明人 |
水内 理映子;久里 裕二;原口 智;小谷 和也;市倉 優太;早川 秀樹;内田 雅之 |
分类号 |
H01L23/36;C23C18/16;C23C18/31;C23C18/34;H01L25/07;H01L25/18 |
主分类号 |
H01L23/36 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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