ＳｉＣ単結晶基板の前処理方法及びエピタキシャルＳｉＣウェハの製造方法

摘要

【課題】熱ＣＶＤ法によるＳｉＣ薄膜のエピタキシャル成長において、前処理でＳｉＣ単結晶基板の表面をエッチングしてダメージ層を除去することにより、エピタキシャル膜のステップバンチングを低減する方法、及びこれを用いて平滑性に優れたエピタキシャルＳｉＣウェハを得ることができる方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板２へＳｉＣのエピタキシャル膜を成長させる際の前処理方法であって、アルキルガスを水素によって濃度が５ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下に希釈したエッチングガス５を使って、ＳｉＣ単結晶基板の表面をエッチングしてから、ＳｉＣのエピタキシャル膜を成長させることを特徴とするＳｉＣエピタキシャル成長の前処理方法であり、また、前処理した後に、ＳｉＣのエピタキシャル膜を成長させることを特徴としたエピタキシャルＳｉＣウェハの製造方法である。【選択図】図１