| 摘要 |
【課題】ダイオード領域のうちの外周領域との境界側の部分においてもリカバリ特性を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】外周領域２のうちダイオード領域１ｂとの境界側の部分に第１厚さ比が２以上となるダメージ領域２４を形成する。第１厚さ比は、半導体基板１０の厚さをｄ、外周領域２に形成されるダメージ領域２４の幅をＷ１として、半導体基板１０の厚さに対する外周領域２に形成されたダメージ領域２４の幅の比を意味している。このような構成により、外周領域２からダイオード領域１ｂにホールが注入されることを抑制でき、ダイオード領域１ｂのうちの外周領域２との境界側の部分においてもリカバリ特性を向上できる。【選択図】図３ |
