发明名称 電界効果トランジスタ構造およびメモリアレイ
摘要 幾つかの実施形態においては、トランジスタは、底部ソース/ドレイン領域と、第一の絶縁材料と、導電性ゲートと、第二の絶縁材料と、上部ソース/ドレイン領域とを有する積層を含む。積層は、底部ソース/ドレイン領域に沿った底部と、導電性ゲートに沿った中間部分と、上部ソース/ドレイン領域に沿った上部とを有する垂直方向の側壁を有する。第三の絶縁材料は、垂直方向の側壁の中間部分に沿っている。チャネル領域材料は、第三の絶縁材料に沿っている。チャネル領域材料は、垂直方向の側壁の上部および底部に直接接触する。チャネル領域材料は、約3Åより大きく、約10Å以下の範囲内の厚さを有するか、および/または1モノレイヤーから7モノレイヤーの厚さを有する。【選択図】図16
申请公布号 JP2017508277(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20160545774 申请日期 2014.12.03
申请人 マイクロン テクノロジー, インク. 发明人 カルダ,カマル エム.;モウリ,チャンドラ ヴィー.;サンデュ,ガーテ エス.
分类号 H01L29/786;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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